---显影光刻十步法：表面准备—涂光刻胶—软烘焙—对准和---—显影—硬烘焙—显影目测—刻蚀负胶：聚合物---后会由非聚合态变为聚合状态，形成一种互相粘结的物质，是抗刻蚀的，大多数负胶里面的聚合物是聚异戊二烯类型的，早期是基于橡胶型的聚合物；

正胶：其基本聚合物是-甲醛聚合物，也称为-甲醛novolak树脂，聚合物是相对不可溶的，在用适当的光能量---后，光刻胶转变成可溶状态喷砂---显影订制

正性光刻胶用显影液及光刻工艺中的显影方法，属于半导体制造技术领域，尤其涉及一种正性光刻胶用显影液及光刻工艺中的显影方法。光刻工艺是半导体集成电路制造工艺中关键的步骤。在进行离子注入或刻蚀之前，需要通过光刻工艺形成光刻胶团，以预先定义出待刻蚀或离子注入的区域。因而，光刻工艺水平的高低、的好坏会直接影响刻蚀或离子注入的结果，并终影响形成的半导体器件的电性。喷砂---显影订制



光刻工艺的主要步骤如下(1)对半导体晶片(wafer)进行清洗，并使用增黏剂进行成膜处理；(2)在所述半导体晶片上通过旋涂的方法形成光刻胶层；(3)执行软烘烤(soft bake)工艺，去除所述光刻胶层中的溶剂，并增加所述光刻胶层在半导体晶片表面的粘附性；(4)将所述半导体晶片传送至---设备，通过一系列对准动作后，对所述半导体晶片表面的光刻胶层进行---，掩膜版上预定好的图案通过---可以转移到所述光刻胶层上；喷砂---显影订制